職位詳情：

崗位職責(zé)：

1、負(fù)責(zé)GaAs或者GaN工藝芯片的射頻設(shè)計(jì)和仿真工作；
2、負(fù)責(zé)芯片的在片測(cè)試及常規(guī)實(shí)驗(yàn)；
3、負(fù)責(zé)射頻類芯片電路的設(shè)計(jì)工作；
4、提交所負(fù)責(zé)模塊的芯片研發(fā)報(bào)告方案。

1、工作認(rèn)真負(fù)責(zé)、具有良好的溝通協(xié)調(diào)能力、團(tuán)隊(duì)合作精神、敬業(yè)精神；
2、一年及以上GaAs工藝或者GaN工藝射頻類芯片開發(fā)相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉GaAs或者GaN工藝，對(duì)主要射頻類芯片電路結(jié)構(gòu)有比較深入了解；
3、電磁場(chǎng)與微波技術(shù)、微電子、通信等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷，熟悉GaAs工藝或者GaN工藝射頻芯片開發(fā)，具有流片經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
4、熟練使用EDA設(shè)計(jì)工具、EM仿真工具、射頻測(cè)試儀器
5、能獨(dú)立選擇合適的GaAs工藝或者GaN工藝，完成相關(guān)射頻類芯片的設(shè)計(jì)和測(cè)試工作；
6、工作地址：成都市武侯區(qū)武興四路 195 號(hào) C8 數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園2棟1/2單元6樓。